Natisni stran
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 2 kV, 0.0172 ohm, 18 V, 5.15 V
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaDF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Številka naročila4125830
Nabor izdelkovEasyPACK CoolsiC Series
Znano tudi kotSP005677961, DF4-19MR20W3M1HF_B11
tehnični podatkovni list
8 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 244,180 |
| 5+ | € 239,300 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 244,18 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaDF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Številka naročila4125830
Nabor izdelkovEasyPACK CoolsiC Series
Znano tudi kotSP005677961, DF4-19MR20W3M1HF_B11
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds2kV
Drain Source On State Resistance0.0172ohm
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK CoolsiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2kV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
20mW
Product Range
EasyPACK CoolsiC Series
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0172ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Bo naknadno sporočeno
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka