Natisni stran
BSO604NS2XUMA1
Dual MOSFET, N Channel, 55 V, 55 V, 5 A, 5 A, 0.031 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaBSO604NS2XUMA1
Številka naročila2725821
Nabor izdelkovOptiMOS Series
Znano tudi kotBSO604NS2, SP000396268
tehnični podatkovni list
739 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
na voljo do odprodaje zalog
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 2,280 |
| 10+ | € 1,620 |
| 100+ | € 1,230 |
| 500+ | € 0,956 |
| 1000+ | € 0,861 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 2,28 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaBSO604NS2XUMA1
Številka naročila2725821
Nabor izdelkovOptiMOS Series
Znano tudi kotBSO604NS2, SP000396268
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id N Channel5A
Continuous Drain Current Id P Channel5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.031ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.031ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS Series
QualificationAEC-Q101
Pregled izdelka
- OptiMOS™ 2 power transistor
- Dual N-channel
- Enhancement mode
- Logic level
- 150°C operating temperature
- Avalanche rated
- dv/dt rated
- AEC qualified
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id P Channel
5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.031ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
OptiMOS Series
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.031ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Tehnični dokumenti (3)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000265