Natisni stran
BSC150N03LDGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 20 A, 0.0125 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaBSC150N03LDGATMA1
Številka naročila1775471
Znano tudi kotBSC150N03LD G, SP000359362
tehnični podatkovni list
3806 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 0,534 |
| 10+ | € 0,401 |
| 100+ | € 0,329 |
| 500+ | € 0,296 |
| 1000+ | € 0,277 |
| 5000+ | € 0,266 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 0,53 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaBSC150N03LDGATMA1
Številka naročila1775471
Znano tudi kotBSC150N03LD G, SP000359362
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.0125ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation26W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
The BSC150N03LD G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. It is tailored to the needs of power management by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. It is available in half-bridge configuration.
- Easy to design in
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Dual N-channel, logic level
- Fast switching MOSFETs for SMPS
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Superior thermal resistance
- 100% Avalanche tested
- Halogen-free, Green device
Področja uporabe
Power Management, Motor Drive & Control, LED Lighting, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, Consumer Electronics
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
26W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (3)
Alternative za BSC150N03LDGATMA1
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000154
Sledenje izdelku