Natisni stran
BFS483H6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, Dual NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaBFS483H6327XTSA1
Številka naročila2480691
Znano tudi kotBFS 483 H6327, SP000750464
tehnični podatkovni list
57 Na Zalogi
3000 Izdelek na zalogi lahko rezervirate že zdaj.
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 0,553 |
| 10+ | € 0,394 |
| 100+ | € 0,315 |
| 500+ | € 0,283 |
| 1000+ | € 0,277 |
| 5000+ | € 0,263 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 0,55 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaBFS483H6327XTSA1
Številka naročila2480691
Znano tudi kotBFS 483 H6327, SP000750464
tehnični podatkovni list
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max12V
Transition Frequency8GHz
Power Dissipation450mW
Continuous Collector Current65mA
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
DC Current Gain hFE Min70hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
The BFS 483 H6327 is a NPN Silicon RF Transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 to 30mA. It is suitable for use with amplifier and oscillator applications in RF front-end.
- Two (galvanic) internal isolated transistor in one package
Področja uporabe
Industrial, Wireless, Power Management
Tehnični podatki
Transistor Polarity
Dual NPN
Transition Frequency
8GHz
Continuous Collector Current
65mA
No. of Pins
6Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation
450mW
Transistor Case Style
SOT-363
DC Current Gain hFE Min
70hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000004
Sledenje izdelku