Natisni stran
DMTH6010LPD-13
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.0085 ohm
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecDIODES INC.
Proizvajalčeva št. delaDMTH6010LPD-13
Številka naročila3518403
tehnični podatkovni list
1796 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 1,410 |
| 10+ | € 0,991 |
| 100+ | € 0,733 |
| 500+ | € 0,538 |
| 1000+ | € 0,511 |
| 5000+ | € 0,484 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 1,41 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecDIODES INC.
Proizvajalčeva št. delaDMTH6010LPD-13
Številka naročila3518403
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel47.6A
Continuous Drain Current Id P Channel47.6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0085ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0085ohm
Transistor Case StylePowerDI5060
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.8W
Power Dissipation P Channel2.8W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
47.6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0085ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.8W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
47.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0085ohm
Transistor Case Style
PowerDI5060
Power Dissipation N Channel
2.8W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000127
Sledenje izdelku