Natisni stran
DMG1012T-7
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecDIODES INC.
Proizvajalčeva št. delaDMG1012T-7
Številka naročila2543524RL
tehnični podatkovni list
1.096.457 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,150 |
| 500+ | € 0,113 |
| 1000+ | € 0,0833 |
| 5000+ | € 0,0692 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 5
€ 20,00 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecDIODES INC.
Proizvajalčeva št. delaDMG1012T-7
Številka naročila2543524RL
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id630mA
Drain Source On State Resistance0.4ohm
Transistor Case StyleSOT-523
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation280mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
DMG1012T-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected up to 2kV
- Drain-source voltage is 20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±6V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 0.63A at TA = +25°C, steady state
- Pulsed drain current is 3A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.28W at TA = +25°C
- SOT523 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
630mA
Transistor Case Style
SOT-523
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
280mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnični dokumenti (1)
Alternative za DMG1012T-7
Št. najdenih izdelkov 2
Povezani izdelki
Št. najdenih izdelkov 3
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000053
Sledenje izdelku