Natisni stran
MCR08BT1,115
Thyristor, 200 V, 200 µA, 500 mA, 800 mA, SOT-223, 4 Pins
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecWEEN SEMICONDUCTORS
Proizvajalčeva št. delaMCR08BT1,115
Številka naročila2902395
tehnični podatkovni list
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecWEEN SEMICONDUCTORS
Proizvajalčeva št. delaMCR08BT1,115
Številka naročila2902395
tehnični podatkovni list
Peak Repetitive Off State Voltage200V
Gate Trigger Current Max200µA
Average On State Current500mA
On State RMS Current800mA
Thyristor Case StyleSOT-223
No. of Pins4Pins
Peak Non Repetitive Surge Current9A
Holding Current Max5mA
Gate Trigger Voltage Max800mV
Operating Temperature Max125°C
Thyristor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Tehnični podatki
Peak Repetitive Off State Voltage
200V
Average On State Current
500mA
Thyristor Case Style
SOT-223
Peak Non Repetitive Surge Current
9A
Gate Trigger Voltage Max
800mV
Thyristor Mounting
Surface Mount
SVHC
To Be Advised
Gate Trigger Current Max
200µA
On State RMS Current
800mA
No. of Pins
4Pins
Holding Current Max
5mA
Operating Temperature Max
125°C
Product Range
-
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0005