Natisni stran
VSMY2853G
Infrared Emitter, 850 nm, 28 °, SMD, 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
22.763 Na Zalogi
Potrebujete več?
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 0,691 |
| 10+ | € 0,505 |
| 25+ | € 0,495 |
| 50+ | € 0,484 |
| 100+ | € 0,474 |
| 500+ | € 0,399 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 0,69 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaVSMY2853G
Številka naročila2504167
tehnični podatkovni list
Peak Wavelength850nm
Angle of Half Intensity28°
Diode Case StyleSMD
Radiant Intensity (Ie)10mW/Sr
Rise Time10ns
Fall Time tf10ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.9V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Pregled izdelka
VSMY2853G is a VSMY2853 series high speed infrared emitting diode. This is infrared, 850nm emitting diodes based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensities, high optical power and high speed, moulded in clear, untinted plastic packages (with lens) for surface mounting (SMD). Application includes miniature light barrier, photo interrupters, optical switch, emitter source for proximity sensors, IR touch panels, IR illumination.
- High reliability, high radiant power
- Very high radiant intensity
- Angle of half intensity is ±28° (Tamb = 25°C)
- Suitable for high pulse current operation
- Terminal configurations gullwing or reverse gullwing
- 10ns typ fall time ( IF = 100mA, 10% to 90%), 50mW/sr typ radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms)
- 10ns typ rise time ( IF = 100mA, 10% to 90%), 850nm typ peak wavelength (IF = 100mA)
- 100mA forward current (Tamb = 25°C)
- Operating temperature range from -40 to +85°C
- Dimensions (L x W x H) is 2.3 x 2.3 x 2.55mm
Tehnični podatki
Peak Wavelength
850nm
Diode Case Style
SMD
Rise Time
10ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Angle of Half Intensity
28°
Radiant Intensity (Ie)
10mW/Sr
Fall Time tf
10ns
Forward Voltage VF Max
1.9V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85414300
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000016
Sledenje izdelku