Natisni stran
SISS5112DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 40.7 A, 0.0149 ohm, PowerPAK 1212-8S, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSISS5112DN-T1-GE3
Številka naročila4199570RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen V Series
tehnični podatkovni list
5320 Na Zalogi
Potrebujete več?
.
.
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,793 |
| 500+ | € 0,577 |
| 1000+ | € 0,537 |
| 5000+ | € 0,447 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 84,30 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSISS5112DN-T1-GE3
Številka naročila4199570RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen V Series
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id40.7A
Drain Source On State Resistance0.0149ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40.7A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0149ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000074