Natisni stran
SIR588DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 59.5 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIR588DP-T1-RE3
Številka naročila3906513RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen V Series
tehnični podatkovni list
2601 Na Zalogi
Potrebujete več?
.
.
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,622 |
| 500+ | € 0,493 |
| 1000+ | € 0,450 |
| 5000+ | € 0,387 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 67,20 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIR588DP-T1-RE3
Številka naročila3906513RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen V Series
tehnični podatkovni list
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id59.5A
Drain Source On State Resistance8000µohm
On Resistance Rds(on)0.0063ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation59.5W
Power Dissipation Pd59.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tehnični podatki
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
59.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
59.5A
On Resistance Rds(on)
0.0063ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
59.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku