Natisni stran
SIJA22DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 201 A, 570 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIJA22DP-T1-GE3
Številka naročila3587054
Nabor izdelkovTrenchFET Gen IV
tehnični podatkovni list
1611 Na Zalogi
Potrebujete več?
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 5+ | € 1,500 |
| 50+ | € 1,020 |
| 100+ | € 0,786 |
| 500+ | € 0,631 |
| 1500+ | € 0,576 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 5
Več: 5
€ 7,50 (brez DDV)
opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIJA22DP-T1-GE3
Številka naročila3587054
Nabor izdelkovTrenchFET Gen IV
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id201A
Drain Source On State Resistance0.00057ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation48W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
201A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
0.00057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku