Natisni stran
SIJ450DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 45 V, 113 A, 1900 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIJ450DP-T1-GE3
Številka naročila3765818RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen IV
tehnični podatkovni list
29.960 Na Zalogi
Potrebujete več?
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,749 |
| 500+ | € 0,587 |
| 1000+ | € 0,543 |
| 5000+ | € 0,486 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 79,90 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIJ450DP-T1-GE3
Številka naročila3765818RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen IV
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id113A
Drain Source On State Resistance1900µohm
On Resistance Rds(on)0.00155ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation48W
Power Dissipation Pd48W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
- N-channel 45V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- Very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency
- Flexible leads provide resilience to mechanical stress
- 100 % Rg and UIS tested
- Qgd/Qgs ratio <lt/> 1 optimizes switching characteristics
- Used in synchronous rectification, high power density DC/DC and DC/AC inverters
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
1900µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
48W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
113A
On Resistance Rds(on)
0.00155ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
Power Dissipation Pd
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku