Natisni stran
SIDR570EP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 90.9 A, 7900 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIDR570EP-T1-RE3
Številka naročila3954179RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen V Series
tehnični podatkovni list
5705 Na Zalogi
Potrebujete več?
.
.
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 1,610 |
| 500+ | € 1,330 |
| 1000+ | € 1,210 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 166,00 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSIDR570EP-T1-RE3
Številka naročila3954179RL
Nabor izdelkovTrenchFET Gen V Series
tehnični podatkovni list
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id90.9A
Drain Source On State Resistance7900µohm
On Resistance Rds(on)0.0065ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation150W
Power Dissipation Pd150W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tehnični podatki
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
7900µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90.9A
On Resistance Rds(on)
0.0065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za SIDR570EP-T1-RE3
Št. najdenih izdelkov 2
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaGermany
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaGermany
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku