Natisni stran
SI4401FDY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 14 A, 0.0142 ohm, SOIC, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSI4401FDY-T1-GE3
Številka naročila2857062
Nabor izdelkovTrenchFET Gen III
tehnični podatkovni list
57.156 Na Zalogi
Potrebujete več?
.
.
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 0,929 |
| 10+ | € 0,675 |
| 100+ | € 0,456 |
| 500+ | € 0,337 |
| 1000+ | € 0,306 |
| 5000+ | € 0,247 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 0,93 (brez DDV)
opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaSI4401FDY-T1-GE3
Številka naročila2857062
Nabor izdelkovTrenchFET Gen III
tehnični podatkovni list
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.0142ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
- 40V, 14A TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET in 8 pin SOIC package
- 100% Rg tested
- Suitable for adapter switch, load switch, battery switch and motor drive control
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0142ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaIsrael
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaIsrael
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000256
Sledenje izdelku