Natisni stran
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
Umaknjeno iz proizvodnje
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecVISHAY
Proizvajalčeva št. delaIRL620PBF
Številka naročila2547308
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.8ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (19-Jan-2021)
Alternative za IRL620PBF
Št. najdenih izdelkov 3
Pregled izdelka
The IRL620PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Logic-level gate drive
- Ease of paralleling
- RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V
- Simple drive requirements
Področja uporabe
Industrial, Power Management
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (19-Jan-2021)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnični dokumenti (3)
Povezani izdelki
Št. najdenih izdelkov 7
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (19-Jan-2021)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.002
Sledenje izdelku