Natisni stran
STP6NK60ZFP
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 6 A, 1.2 ohm, TO-220FP, Through Hole
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTP6NK60ZFP
Številka naročila9803289
tehnični podatkovni list
70.812 Na Zalogi
Potrebujete več?
.
.
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 2,010 |
| 10+ | € 1,120 |
| 100+ | € 1,040 |
| 500+ | € 0,917 |
| 1000+ | € 0,878 |
| 5000+ | € 0,845 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 2,01 (brez DDV)
opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTP6NK60ZFP
Številka naročila9803289
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation32W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
The STP6NK60ZFP is a 600V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
Področja uporabe
Industrial
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
32W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za STP6NK60ZFP
Št. najdenih izdelkov 4
Povezani izdelki
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.010433