Natisni stran
STP45NF06
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 26 A, 0.028 ohm, TO-220AB, Through Hole
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTP45NF06
Številka naročila9935630
Nabor izdelkovSTP
tehnični podatkovni list
642 Na Zalogi
Potrebujete več?
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 0,710 |
| 10+ | € 0,694 |
| 100+ | € 0,693 |
| 500+ | € 0,692 |
| 1000+ | € 0,691 |
| 5000+ | € 0,665 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 0,71 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTP45NF06
Številka naročila9935630
Nabor izdelkovSTP
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation80W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTP
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
The STP45NF06 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. The device is suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-to-DC converters for telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements.
- 0.022Ω RDS (ON)
- Exceptional dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Standard threshold drive
Področja uporabe
Power Management, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Industrial
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
26A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
80W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STP
MSL
-
Tehnični dokumenti (2)
Povezani izdelki
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMorocco
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMorocco
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.002
Sledenje izdelku