Natisni stran
STN4NF20L
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 1 A, 1.1 ohm, SOT-223, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTN4NF20L
Številka naročila2629750
Nabor izdelkovStripFET II
tehnični podatkovni list
8357 Na Zalogi
Potrebujete več?
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 0,633 |
| 10+ | € 0,441 |
| 100+ | € 0,371 |
| 500+ | € 0,286 |
| 1000+ | € 0,250 |
| 5000+ | € 0,196 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 0,63 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTN4NF20L
Številka naročila2629750
Nabor izdelkovStripFET II
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance1.1ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation3.3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeStripFET II
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
- 200V, 1A N channel STripFET™ II power MOSFET in 4 pin SOT-223 package
- 100% avalanche tested
- Low gate charge
- Exceptional dv/dt capability
- Designed to minimize input capacitance and gate charge
- Suitable as primary switch in advanced high efficiency isolated DC to DC converters
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
1.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
StripFET II
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za STN4NF20L
Št. najdenih izdelkov 2
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000726
Sledenje izdelku