Natisni stran
STGWA40H65DFB2
IGBT, 72 A, 1.55 V, 230 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pins
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTGWA40H65DFB2
Številka naročila3387279
Nabor izdelkovHB2
tehnični podatkovni list
Ni več na zalogi
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTGWA40H65DFB2
Številka naročila3387279
Nabor izdelkovHB2
tehnični podatkovni list
Continuous Collector Current72A
Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
Power Dissipation230W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247LL
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeHB2
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Tehnični podatki
Continuous Collector Current
72A
Power Dissipation
230W
Transistor Case Style
TO-247LL
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
HB2
Collector Emitter Saturation Voltage
1.55V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0061
Sledenje izdelku