Natisni stran
STGD5NB120SZ-1
IGBT, 10 A, 1.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-251, 3 Pins
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTGD5NB120SZ-1
Številka naročila2807162
Nabor izdelkovPowerMESH
tehnični podatkovni list
Umaknjeno iz proizvodnje
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTGD5NB120SZ-1
Številka naročila2807162
Nabor izdelkovPowerMESH
tehnični podatkovni list
Continuous Collector Current10A
Collector Emitter Saturation Voltage1.3V
Power Dissipation75W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-251
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangePowerMESH
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Tehnični podatki
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation
75W
Transistor Case Style
TO-251
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
PowerMESH
Collector Emitter Saturation Voltage
1.3V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0023
Sledenje izdelku