Natisni stran
STD15N60M2-EP
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTD15N60M2-EP
Številka naročila2889917
Nabor izdelkovMDmesh
Vaša številka dela
tehnični podatkovni list
4943 Na Zalogi
Potrebujete več?
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 2,000 |
| 10+ | € 1,280 |
| 100+ | € 0,872 |
| 500+ | € 0,666 |
| 1000+ | € 0,587 |
| 5000+ | € 0,575 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 2,00 (brez DDV)
opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaSTD15N60M2-EP
Številka naročila2889917
Nabor izdelkovMDmesh
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.34ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Pregled izdelka
- 600V, 11A MDmesh™ M2 EP power MOSFET in a 3 pin DPAK package
- Extremely low gate charge
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- Very low turn-off switching losses
- 100% avalanche tested
- Zener protected
- Suitable for switching applications
- Tailored for very high frequency converters (f <gt/> 150KHz)
- Exhibits low on-resistance, optimized switching characteristics
- Suitable for the most demanding very high frequency converters
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.34ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za STD15N60M2-EP
Št. najdenih izdelkov 6
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.001512