Natisni stran
BDX53C
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 60 W, 8 A, TO-220, 3 Pins
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaBDX53C
Številka naročila9946497
tehnični podatkovni list
2008 Na Zalogi
800 Izdelek na zalogi lahko rezervirate že zdaj.
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 1,200 |
| 10+ | € 0,921 |
| 100+ | € 0,539 |
| 500+ | € 0,427 |
| 1000+ | € 0,383 |
| 5000+ | € 0,319 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 1,20 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecSTMICROELECTRONICS
Proizvajalčeva št. delaBDX53C
Številka naročila9946497
tehnični podatkovni list
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd60W
DC Collector Current8A
RF Transistor CaseTO-220
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE750hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
The BDX53C from STMicroelectronics is a through hole complementary power darlington transistor in TO-220 package. This device manufactured in planar base island technology with monolithic darlington configuration. This transistor features good DC gain and high fT frequency. BDX53C is typically suited for linear, switching industrial equipment and audio amplification.
- Collector to emitter voltage (Vce) is 100V
- Collector current (Ic) is 8A
- Power dissipation (Pd) is 60W
- Collector to emitter saturation voltage of 2V at 3A collector current
- DC current gain (hFE) of 750 at 3A collector current
- Operating junction temperature range from 150°C
Področja uporabe
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Tehnični podatki
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
60W
RF Transistor Case
TO-220
DC Current Gain hFE
750hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
8A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za BDX53C
Št. najdenih izdelkov 2
Povezani izdelki
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaPhilippines
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.002
Sledenje izdelku