Natisni stran
GD200HFY120C8S
IGBT Module, Half Bridge, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Module
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecSTARPOWER
Proizvajalčeva št. delaGD200HFY120C8S
Številka naročila3549243
tehnični podatkovni list
10 Na Zalogi
Potrebujete več?
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 68,410 |
| 5+ | € 63,470 |
| 10+ | € 57,680 |
| 50+ | € 55,580 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 68,41 (brez DDV)
opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecSTARPOWER
Proizvajalčeva št. delaGD200HFY120C8S
Številka naročila3549243
tehnični podatkovni list
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current309A
Continuous Collector Current309A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation Pd1.006kW
Power Dissipation1.006kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Pregled izdelka
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
309A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation
1.006kW
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
309A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation Pd
1.006kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.3