Natisni stran
GD200HFY120C2S
IGBT Module, Half Bridge, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 150 °C, Module
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecSTARPOWER
Proizvajalčeva št. delaGD200HFY120C2S
Številka naročila2986062
tehnični podatkovni list
27 Na Zalogi
12 Izdelek na zalogi lahko rezervirate že zdaj.
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 91,480 |
| 5+ | € 84,880 |
| 10+ | € 77,130 |
| 50+ | € 74,320 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 91,48 (brez DDV)
opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecSTARPOWER
Proizvajalčeva št. delaGD200HFY120C2S
Številka naročila2986062
tehnični podatkovni list
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current309A
DC Collector Current309A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation1.006kW
Power Dissipation Pd1.006kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Pregled izdelka
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
309A
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation Pd
1.006kW
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
309A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation
1.006kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Tehnični dokumenti (1)
Alternative za GD200HFY120C2S
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.313704