Natisni stran
GD100FFY120C6S
IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Module
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecSTARPOWER
Proizvajalčeva št. delaGD100FFY120C6S
Številka naročila3549214
tehnični podatkovni list
9 Na Zalogi
Potrebujete več?
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 111,380 |
| 5+ | € 103,550 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 111,38 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecSTARPOWER
Proizvajalčeva št. delaGD100FFY120C6S
Številka naročila3549214
tehnični podatkovni list
IGBT ConfigurationThree Phase Full Bridge
DC Collector Current155A
Continuous Collector Current155A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Power Dissipation511W
Power Dissipation Pd511W
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Pregled izdelka
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
IGBT Configuration
Three Phase Full Bridge
Continuous Collector Current
155A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation Pd
511W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
155A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation
511W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.15