Natisni stran
RGT8NS65DGC9
IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-262, 3 Pins
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
Umaknjeno iz proizvodnje
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecROHM
Proizvajalčeva št. delaRGT8NS65DGC9
Številka naročila3132333
tehnični podatkovni list
Continuous Collector Current8A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation65W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-262
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Tehnični podatki
Continuous Collector Current
8A
Power Dissipation
65W
Transistor Case Style
TO-262
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.002
Sledenje izdelku