Natisni stran
2SAR533P5T100
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecROHM
Proizvajalčeva št. dela2SAR533P5T100
Številka naročila2965300RL
tehnični podatkovni list
855 Na Zalogi
Potrebujete več?
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,248 |
| 500+ | € 0,174 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 5
€ 29,80 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecROHM
Proizvajalčeva št. dela2SAR533P5T100
Številka naročila2965300RL
tehnični podatkovni list
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max50V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
DC Collector Current3A
Continuous Collector Current3A
Power Dissipation500mW
Power Dissipation Pd500mW
Transistor Case StyleSOT-89
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min180hFE
DC Current Gain hFE180hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Pregled izdelka
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Transistor Polarity
PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
Continuous Collector Current
3A
Power Dissipation Pd
500mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
-
DC Current Gain hFE
180hFE
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Collector Emitter Voltage Max
50V
DC Collector Current
3A
Power Dissipation
500mW
Transistor Case Style
SOT-89
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
180hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0013
Sledenje izdelku