Natisni stran
RJH65T14DPQ-A0#T0
IGBT, 100 A, 1.45 V, 250 W, 650 V, TO-247A, 3 Pins
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecRENESAS
Proizvajalčeva št. delaRJH65T14DPQ-A0#T0
Številka naročila4307192
tehnični podatkovni list
Na voljo za naročilo
Standardni dobavni rok proizvajalca: Število tednov dobavnega roka: 14
| Količina | |
|---|---|
| 575+ | € 6,070 |
Cena za:Each
Najmanj: 575
Več: 575
€ 3.490,25 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecRENESAS
Proizvajalčeva št. delaRJH65T14DPQ-A0#T0
Številka naročila4307192
tehnični podatkovni list
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation250W
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-247A
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični podatki
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
250W
Transistor Case Style
TO-247A
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.001
Sledenje izdelku