Natisni stran
NXH80T120L3Q0S3G
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Module
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNXH80T120L3Q0S3G
Številka naročila3929816
Nabor izdelkovEliteSiC Series
tehnični podatkovni list
1 Na Zalogi
Potrebujete več?
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 46,070 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 46,07 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNXH80T120L3Q0S3G
Številka naročila3929816
Nabor izdelkovEliteSiC Series
tehnični podatkovni list
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current75A
DC Collector Current75A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation188W
Power Dissipation Pd188W
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder Pin
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tehnični podatki
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation Pd
188W
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Solder Pin
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Collector Current
75A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation
188W
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
EliteSiC Series
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.09
Sledenje izdelku