Natisni stran
NTF5P03T3G
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 5.2 A, 0.1 ohm, SOT-223, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
Na voljo za naročilo
Standardni dobavni rok proizvajalca: Število tednov dobavnega roka: 19
Obvestite me, ko bo izdelek spet na zalogi.
| Količina | |
|---|---|
| 4000+ | € 0,331 |
| 12000+ | € 0,324 |
Cena za:Each (Supplied on Full Reel)
Najmanj: 4000
Več: 4000
€ 1.324,00 (brez DDV)
opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNTF5P03T3G
Številka naročila2442205
tehnični podatkovni list
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.75V
Power Dissipation3.13W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
The NTF5P03T3G is a P-channel Power MOSFET offers -30V drain source voltage and -5.2A continuous drain current. It is suitable for DC-to-DC converters, inductive loads and replaces MMFT5P03HD.
- Ultra-low RDS (ON)
- Higher efficiency extending battery life
- Logic level gate drive
- Miniature surface-mount package
- Avalanche energy specified
- -55 to 150°C Operating temperature range
Področja uporabe
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
Tehnični podatki
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.13W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.75V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tehnični dokumenti (3)
Alternative za NTF5P03T3G
Št. najdenih izdelkov 2
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.001
Sledenje izdelku