Natisni stran
NTMFS4D2N10MDT1G
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 113 A, 3800 µohm, DFN, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNTMFS4D2N10MDT1G
Številka naročila3677730RL
tehnični podatkovni list
Na voljo za naročilo
Standardni dobavni rok proizvajalca: Število tednov dobavnega roka: 23
Obvestite me, ko bo izdelek spet na zalogi.
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 1,460 |
| 500+ | € 1,280 |
| 1000+ | € 1,250 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 151,00 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNTMFS4D2N10MDT1G
Številka naročila3677730RL
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id113A
Drain Source On State Resistance3800µohm
On Resistance Rds(on)0.0038ohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation132W
Power Dissipation Pd132W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3800µohm
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
132W
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
113A
On Resistance Rds(on)
0.0038ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
132W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0001
Sledenje izdelku