Natisni stran
NGTB50N120FL2WG
IGBT, 100 A, 2.2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNGTB50N120FL2WG
Številka naročila2399116
tehnični podatkovni list
Umaknjeno iz proizvodnje
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaNGTB50N120FL2WG
Številka naročila2399116
tehnični podatkovni list
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Power Dissipation535W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Pregled izdelka
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
535W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Tehnični dokumenti (3)
Povezani izdelki
Št. najdenih izdelkov 2
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.008618
Sledenje izdelku