Natisni stran
MJD6039T4G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
16.685 Na Zalogi
Potrebujete več?
.
.
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 1,090 |
| 10+ | € 0,697 |
| 100+ | € 0,465 |
| 500+ | € 0,355 |
| 1000+ | € 0,344 |
| 5000+ | € 0,333 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 1
Več: 1
€ 1,09 (brez DDV)
opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaMJD6039T4G
Številka naročila2774792
tehnični podatkovni list
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo80V
Power Dissipation Pd20W
DC Collector Current4A
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE2500hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Tehnični podatki
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
20W
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
2500hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
DC Collector Current
4A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000426
Sledenje izdelku