Natisni stran
FCP190N65S3R0
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 17 A, 0.159 ohm, TO-220, Through Hole
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaFCP190N65S3R0
Številka naročila2785467
Nabor izdelkovSuperFET III
tehnični podatkovni list
445 Na Zalogi
Potrebujete več?
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 2,190 |
| 10+ | € 1,280 |
| 100+ | € 1,230 |
| 500+ | € 1,050 |
| 1000+ | € 0,871 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 2,19 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecONSEMI
Proizvajalčeva št. delaFCP190N65S3R0
Številka naročila2785467
Nabor izdelkovSuperFET III
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.159ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation144W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSuperFET III
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
ON Semiconductor’s 650V SuperFET III series provides the highest performance Super Junction MOSFETs specifically designed for highest power density.
Področja uporabe
Computer Hardware
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
144W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.159ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SuperFET III
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za FCP190N65S3R0
Št. najdenih izdelkov 2
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.001
Sledenje izdelku