Natisni stran
PMV130ENEAR
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 2.1 A, 0.12 ohm, SOT-23, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecNEXPERIA
Proizvajalčeva št. delaPMV130ENEAR
Številka naročila2469648RL
tehnični podatkovni list
2375 Na Zalogi
3000 Izdelek na zalogi lahko rezervirate že zdaj.
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 0,131 |
| 500+ | € 0,119 |
| 1500+ | € 0,105 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 5
€ 18,10 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecNEXPERIA
Proizvajalčeva št. delaPMV130ENEAR
Številka naročila2469648RL
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id2.1A
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation460mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Pregled izdelka
The PMV130ENEAR from NEXPERIA is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Suitable applications: Relay driver, High-speed line driver, Low-side load switch and Switching circuits
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- 1kV ESD protected
- AEC-Q101 qualified
Področja uporabe
Medical
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.1A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
460mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnični dokumenti (3)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000049
Sledenje izdelku