Natisni stran
MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F
Flash Memory, SLC NAND, 4 Gbit, 512M x 8bit, Parallel, TSOP, 48 Pins
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecMICRON
Proizvajalčeva št. delaMT29F4G08ABAFAWP-AAT:F
Številka naročila3861373
Nabor izdelkov3.3V Parallel NAND Flash Memories
tehnični podatkovni list
395 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 3,880 |
| 10+ | € 3,620 |
| 25+ | € 3,450 |
| 50+ | € 3,100 |
| 100+ | € 2,990 |
| 250+ | € 2,920 |
| 500+ | € 2,830 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 3,88 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecMICRON
Proizvajalčeva št. delaMT29F4G08ABAFAWP-AAT:F
Številka naročila3861373
Nabor izdelkov3.3V Parallel NAND Flash Memories
tehnični podatkovni list
Flash Memory TypeSLC NAND
Memory Density4Gbit
Memory Configuration512M x 8bit
InterfacesParallel
IC Case / PackageTSOP
No. of Pins48Pins
Clock Frequency Max50MHz
Access Time-
Supply Voltage Min-
Supply Voltage Max-
Supply Voltage Nom3.3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range3.3V Parallel NAND Flash Memories
Pregled izdelka
MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F is a NAND flash memory. This NAND flash device includes an asynchronous data interface for high-performance I/O operations. This device uses a highly multiplexed 8-bit bus (I/Ox) to transfer commands, address, and data. A target is the unit of memory accessed by a chip enable signal. A target contains one or more NAND flash dies. A NAND flash die is the minimum unit that can independently execute commands and report status.
- Open NAND flash interface (ONFI) 1.0-compliant
- Single-level cell (SLC) technology
- Command set: ONFI NAND flash protocol
- Operation status method for detecting: operation completion
- Pass/fail condition, write-protect status
- Ready/Busy# (R/B#) signal provides a hardware method of detecting operation completion
- RESET (FFh) required after power-on
- Internal data move operations supported within the plane from which data is read
- 4Gb density, 8-bit device width, 3.3V (2.7 to 3.6V) operating voltage range
- 48-pin TSOP type 1 package, automotive temperature range from -40°C to +105°C
Tehnični podatki
Flash Memory Type
SLC NAND
Memory Configuration
512M x 8bit
IC Case / Package
TSOP
Clock Frequency Max
50MHz
Supply Voltage Min
-
Supply Voltage Nom
3.3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3.3V Parallel NAND Flash Memories
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Memory Density
4Gbit
Interfaces
Parallel
No. of Pins
48Pins
Access Time
-
Supply Voltage Max
-
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSingapore
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSingapore
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001