Natisni stran
IXFP26N65X2
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 26 A, 0.13 ohm, TO-220, Through Hole
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecLITTELFUSE
Proizvajalčeva št. delaIXFP26N65X2
Številka naročila3996606
Nabor izdelkovHiPerFET Series
tehnični podatkovni list
49 Na Zalogi
Potrebujete več?
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 6,610 |
| 5+ | € 6,480 |
| 10+ | € 6,350 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 6,61 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecLITTELFUSE
Proizvajalčeva št. delaIXFP26N65X2
Številka naročila3996606
Nabor izdelkovHiPerFET Series
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source On State Resistance0.13ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation460W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiPerFET Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
26A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
460W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.13ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HiPerFET Series
SVHC
To Be Advised
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.0001
Sledenje izdelku