Natisni stran
IXYN82N120C3H1
IGBT Module, Single, 105 A, 3.2 V, 500 W, 150 °C, SOT-227B
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXYN82N120C3H1
Številka naročila2674802
Nabor izdelkovXPT GenX3
tehnični podatkovni list
Na voljo za naročilo
Standardni dobavni rok proizvajalca: Število tednov dobavnega roka: 52
| Količina | |
|---|---|
| 300+ | € 20,020 |
Cena za:Each
Najmanj: 300
Več: 300
€ 6.006,00 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXYN82N120C3H1
Številka naročila2674802
Nabor izdelkovXPT GenX3
tehnični podatkovni list
IGBT ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current105A
Continuous Collector Current105A
Collector Emitter Saturation Voltage3.2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.2V
Power Dissipation Pd500W
Power Dissipation500W
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleSOT-227B
IGBT TerminationStud
No. of Pins4Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 High Speed
Transistor MountingPanel
Product RangeXPT GenX3
SVHCLead (17-Jan-2023)
Pregled izdelka
Opozorila
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tehnični podatki
IGBT Configuration
Single
DC Collector Current
105A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.2V
Power Dissipation Pd
500W
Operating Temperature Max
150°C
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
Lead (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
105A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.2V
Power Dissipation
500W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
SOT-227B
No. of Pins
4Pins
IGBT Technology
IGBT 3 High Speed
Product Range
XPT GenX3
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2023)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.03