Natisni stran
IXTN210P10T
MOSFET Transistor, P Channel, 210 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 4.5 V, SOT-227B
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXTN210P10T
Številka naročila3438414
Nabor izdelkovTrenchP
tehnični podatkovni list
78 Na Zalogi
460 Izdelek na zalogi lahko rezervirate že zdaj.
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 45,890 |
| 5+ | € 42,260 |
| 10+ | € 38,630 |
| 50+ | € 35,000 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 45,89 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecIXYS SEMICONDUCTOR
Proizvajalčeva št. delaIXTN210P10T
Številka naročila3438414
Nabor izdelkovTrenchP
tehnični podatkovni list
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
On Resistance Rds(on)0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation830W
Power Dissipation Pd830W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchP
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Pregled izdelka
IXTN210P10T is a TrenchP™ power MOSFET. Suitable for high-side switching, push pull amplifiers, DC choppers, automatic test equipment, current regulators and battery charger applications.
- P-channel enhancement mode
- Avalanche rated and fast intrinsic rectifier
- International standard package
- Low intrinsic gate resistance
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Extended FBSOA and low RDS(ON) and QG
- Easy to mount, space savings and high power density
- 210A continuous drain current Id
- 100V drain source voltage Vds, 10V Rds(on) test voltage, 4.5V max gate source threshold voltage
- 0.0075ohm drain source on state resistance
Tehnični podatki
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
830W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0075ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
830W
Product Range
TrenchP
Tehnični dokumenti (2)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.004
Sledenje izdelku