Natisni stran
IRLU024NPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Through Hole
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIRLU024NPBF
Številka naročila8651329
Znano tudi kotSP001553260
tehnični podatkovni list
6103 Na Zalogi
3000 Izdelek na zalogi lahko rezervirate že zdaj.
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 0,838 |
| 10+ | € 0,386 |
| 100+ | € 0,332 |
| 500+ | € 0,316 |
| 1000+ | € 0,311 |
| 5000+ | € 0,292 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 0,84 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIRLU024NPBF
Številka naročila8651329
Znano tudi kotSP001553260
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTO-251AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation46W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
The IRLU024NPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
- 175°C Operating temperature
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rated
- Logic level gate drive
Področja uporabe
Power Management
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Transistor Case Style
TO-251AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
46W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnični dokumenti (3)
Povezani izdelki
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMexico
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMexico
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Y-Ex
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000711
Sledenje izdelku