Natisni stran
IRGIB7B60KDPBF
IGBT, 12 A, 2.2 V, 39 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIRGIB7B60KDPBF
Številka naročila8659648
tehnični podatkovni list
Umaknjeno iz proizvodnje
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIRGIB7B60KDPBF
Številka naročila8659648
tehnični podatkovni list
Continuous Collector Current12A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Power Dissipation39W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220FP
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Pregled izdelka
The IRGIB7B60KDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. It features low VCE (on) non-punch through IGBT technology and excellent current sharing in parallel operation.
- Square RBSOA
- Positive VCE (on) temperature coefficient
- Rugged transient performance
- Low EMI
- 10µs Short-circuit capability
Področja uporabe
Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Lighting, Alternative Energy, Power Management
Tehnični podatki
Continuous Collector Current
12A
Power Dissipation
39W
Transistor Case Style
TO-220FP
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tehnični dokumenti (1)
Povezani izdelki
Št. najdenih izdelkov 3
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.002