Natisni stran
IRF9540NPBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Through Hole
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIRF9540NPBF
Številka naročila8648620
Znano tudi kotSP001560174
tehnični podatkovni list
51.569 Na Zalogi
Potrebujete več?
Dostava v 1–3 delovnih dneh
Standardno pošiljanje za naročila, oddana pred 17. uro
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 1,460 |
| 10+ | € 1,300 |
| 100+ | € 0,707 |
| 500+ | € 0,599 |
| 1000+ | € 0,525 |
| 5000+ | € 0,491 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 1,46 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIRF9540NPBF
Številka naročila8648620
Znano tudi kotSP001560174
tehnični podatkovni list
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id23A
Drain Source On State Resistance0.117ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
The IRF9540NPBF is -100V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is -100V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 117mohm at Vgs of -10V
- Power dissipation Pd of 140W at 25°C
- Continuous drain current Id of -23A at Vgs -10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Tehnični podatki
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
23A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.117ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnični dokumenti (3)
Alternative za IRF9540NPBF
1 najden izdelek
Povezani izdelki
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaSouth Korea
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.002041