Natisni stran
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPL60R125C7AUMA1
Številka naročila2983364RL
Nabor izdelkovCoolMOS C7
Znano tudi kotIPL60R125C7, SP001385066
tehnični podatkovni list
2714 Na Zalogi
Potrebujete več?
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
Količina | |
---|---|
100+ | € 2,040 |
500+ | € 1,740 |
1000+ | € 1,590 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 209,00 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPL60R125C7AUMA1
Številka naročila2983364RL
Nabor izdelkovCoolMOS C7
Znano tudi kotIPL60R125C7, SP001385066
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.125ohm
Transistor Case StyleVSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation103W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Pregled izdelka
IPL60R125C7AUMA1 is a 600V CoolMOS™ C7 power transistor. It is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. It combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. Potential applications includes PFC stages and PWM stages (TTF,LLC) for high power/performance SMPS example computing, server, telecom, UPS and solar.
- Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC)
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20 and JESD22)
- 4pin kelvin source concept
- Increased economies of scale by use in PFC and PWM topologies in the application
- Higher dv/dt limit enables faster switching leading to higher efficiency
- Enabling higher system efficiency by lower switching glosses
- Optimized PCB assembly and layout solutions
- Suitable for applications such as server, telecom and solar
- PG-VSON-4 package, operating junction temperature range from -40 to 150°C
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Transistor Case Style
VSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
103W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.001
Sledenje izdelku