Natisni stran
IPB051N15NM6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPB051N15NM6ATMA1
Številka naročila4695818RL
tehnični podatkovni list
1000 Na Zalogi
Potrebujete več?
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 100+ | € 1,700 |
| 500+ | € 1,430 |
| 1000+ | € 1,210 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 100
Več: 1
€ 175,00 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaIPB051N15NM6ATMA1
Številka naročila4695818RL
tehnični podatkovni list
Drain Source On State Resistance4800µohm
Tehnični podatki
Drain Source On State Resistance
4800µohm
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000001
Sledenje izdelku