Natisni stran
DMG1012UW-7
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1 A, 0.45 ohm, SOT-323, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecDIODES INC.
Proizvajalčeva št. delaDMG1012UW-7
Številka naročila3127309
tehnični podatkovni list
4330 Na Zalogi
15.000 Izdelek na zalogi lahko rezervirate že zdaj.
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 5+ | € 0,230 |
| 50+ | € 0,124 |
| 100+ | € 0,0699 |
| 500+ | € 0,0678 |
| 1500+ | € 0,0664 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 5
Več: 5
€ 1,15 (brez DDV)
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecDIODES INC.
Proizvajalčeva št. delaDMG1012UW-7
Številka naročila3127309
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1A
Drain Source On State Resistance0.45ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation290mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
DMG1012UW-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected up to 2kV
- Drain-source voltage is 20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±6V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 1A at TA = +25°C, steady state
- Pulsed drain current is 6A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.29W at TA = +25°C
- SOT323 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1A
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
290mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.45ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tehnični dokumenti (2)
Alternative za DMG1012UW-7
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000053
Sledenje izdelku