Natisni stran
2N7002W-7-F
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-323, Surface Mount
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecDIODES INC.
Proizvajalčeva št. dela2N7002W-7-F
Številka naročila1713830RL
tehnični podatkovni list
956.618 Na Zalogi
Potrebujete več?
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 500+ | € 0,0647 |
| 1000+ | € 0,0559 |
| 5000+ | € 0,0336 |
Cena za:Each (Supplied on Cut Tape)
Najmanj: 500
Več: 5
€ 37,35 (brez DDV)
Za ta izdelek bo prištet strošek ponovnega navijanja v višini € 5,00
Dodaj št. dela /opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecDIODES INC.
Proizvajalčeva št. dela2N7002W-7-F
Številka naročila1713830RL
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id115mA
Drain Source On State Resistance7.5ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Pregled izdelka
The 2N7002W-7-F is a N-channel enhancement-mode FET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over alloy 42 lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard.
- Low ON-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Ultra-small surface-mount package
- Halogen-free, Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
- UL94V-0 Flammability rating
Področja uporabe
Power Management, Aerospace, Defence, Military, Automotive
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
115mA
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
7.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tehnični dokumenti (3)
Alternative za 2N7002W-7-F
1 najden izdelek
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.000006
Sledenje izdelku