Natisni stran
GD1200HFY120C3S
IGBT Module, Half Bridge, 2.23 kA, 1.7 V, 8.196 kW, 150 °C, Module
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecSTARPOWER
Proizvajalčeva št. delaGD1200HFY120C3S
Številka naročila3912087
tehnični podatkovni list
4 Na Zalogi
Potrebujete več?
HITRA dostava v 1–2 delovnih dneh
Naročite pred 17.00
BREZPLAČNA standardna dostava
za naročila v vrednosti € 0,00 in več
Natančen čas dostave bo izračunan ob zaključku nakupa
| Količina | |
|---|---|
| 1+ | € 412,180 |
| 5+ | € 403,940 |
Cena za:Each
Najmanj: 1
Več: 1
€ 412,18 (brez DDV)
opombo k postavki
Vključeni so v vašo potrditev naročila, izstavljeni račun in odpremnico le za to naročilo.
Ta številka bo vključena v potrdilo naročila, izstavljeni račun, odpremnico, e-poštno sporočilo s spletno potrditvijo in nalepko izdelka.
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecSTARPOWER
Proizvajalčeva št. delaGD1200HFY120C3S
Številka naročila3912087
tehnični podatkovni list
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current2.23kA
DC Collector Current2.23kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation8.196kW
Power Dissipation Pd8.196kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyTrench
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Tehnični podatki
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
2.23kA
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation Pd
8.196kW
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
2.23kA
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation
8.196kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
Trench
Product Range
-
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaChina
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Da
RoHS
SVHC:To Be Advised
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):1.5