Natisni stran
GA100XCP12-227
Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 100 A, 1200 V, 1.2 kV, SOT-227, 3 Pins
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecGENESIC
Proizvajalčeva št. delaGA100XCP12-227
Številka naročila1862695
Vaša številka dela
tehnični podatkovni list
Umaknjeno iz proizvodnje
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecGENESIC
Proizvajalčeva št. delaGA100XCP12-227
Številka naročila1862695
tehnični podatkovni list
Continuous Collector Current100A
IGBT ConfigurationSingle
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleSOT-227
No. of Pins3Pins
IGBT TerminationScrew
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Tehnični podatki
Continuous Collector Current
100A
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
3Pins
IGBT Technology
-
Product Range
-
IGBT Configuration
Single
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Case Style
SOT-227
IGBT Termination
Screw
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaUnited States
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.029