Precejšnje možnosti z Microchipovo tehnologijo silicijevega karbida

Linija Microchipovih močnostnih tranzistorjev MOSFET (SiC) iz silicijevega karbida izboljšuje zmogljivost glede na rešitve tranzistorja MOSFET iz silicija in transformatorja IGBT iz silicija, pri čemer zmanjšuje skupni strošek lastništva za visokonapetostne aplikacije.

Microchipove rešitve silicijevega karbida se osredotočajo na izjemno zmogljivost, kar prispeva k maksimiziranju učinkovitosti sistema ter minimiziranju mase in velikosti sistema. Microchipova potrjena zanesljivost silicijevega karbida omogoča tudi ničelno degradacijo delovanja med življenjsko dobo končne opreme.

Opis

• MOSFET, N-kanalni, 1,2 kV, 103 A, TO-247
• MOSFET, N-kanalni, 1,2 kV, 103 A, TO-247
• MOSFET, N-kanalni, 1,2 kV, 37 A, TO-247
• MOSFET, N-kanalni, 1,2 kV, 37 A, TO-247
• MOSFET, N-kanalni, 1,2 kV, 66 A, TO-247
• MOSFET, N-kanalni, 1,7 kV, 68 A, TO-247
• MOSFET, N-kanalni, 1,7 kV, 68 A, TO-247
• MOSFET, N-kanalni, 1,7 kV, 7 A, TO-247
• MOSFET, N-kanalni, 3,3 kV, 11 A, TO-247
• MOSFET, N-kanalni, 3,3 kV, 41 A, TO-247
• MOSFET, N-kanalni, 700 V, 140 A, TO-247
• MOSFET, N-kanalni, 700 V, 28 A, TO-247
• MOSFET, N-kanalni, 700 V, 39 A, TO-247
• MOSFET, N-kanalni, 700 V, 77 A, TO-247

Lastnosti izdelka

• Nizke kapacitivnosti in nizek naboj vrat
• Velika hitrost preklapljanja zaradi nizke notranje upornosti vrat (ESR)
• Stabilno delovanje pri visoki temperaturi spoja pri 175 stopinj Celzija
• Zanesljiva dioda ohišja, z možnostjo hitre vgradnje
• Vrhunska plazovita robustnost
• Skladnost z direktivo RoHS

Linija Microchipovih močnostnih Schottkyjevih bariernih diod (SBD) iz silicijevega karbida (SiC) izboljšuje zmogljivost glede na rešitve silicijevih diod, pri čemer zmanjšuje skupni strošek lastništva za visokonapetostne aplikacije.

Opis

• Schottkyjeva dioda iz silicijevega karbida, 1,2 kV, 10 A, TO-220
• Schottkyjeva dioda iz silicijevega karbida, 1,2 kV, 10 A, TO-247
• Schottkyjeva dioda iz silicijevega karbida, 1,2 kV, 15 A, TO-247
• Schottkyjeva dioda iz silicijevega karbida, 1,2 kV, 20 A, TO-220
• Schottkyjeva dioda iz silicijevega karbida, 1,2 kV, 20 A, TO-247
• Schottkyjeva dioda iz silicijevega karbida, 1,2 kV, 30 A, TO-220
• Schottkyjeva dioda iz silicijevega karbida, 1,2 kV, 30 A, TO-247
• Schottkyjeva dioda iz silicijevega karbida, 1,2 kV, 30 A, TO-247
• Schottkyjeva dioda iz silicijevega karbida, 1,7 kV, 10 A, TO-247
• Schottkyjeva dioda iz silicijevega karbida, 1,7 kV, 30 A, TO-247
• Schottkyjeva dioda iz silicijevega karbida, 1,7 kV, 50 A, TO-247
• Schottkyjeva dioda iz silicijevega karbida, 3,3 kV, 184 A, T-MAX
• Schottkyjeva dioda iz silicijevega karbida, 3,3 kV, 62 A, TO-247
• Schottkyjeva dioda iz silicijevega karbida, 700 V, 10 A, TO-220
• Schottkyjeva dioda iz silicijevega karbida, 700 V, 30 A, TO-247

Uporabite lahko visokonapetostni komplet Augmented Switching ASDAK-2ASC-12A1HP-62-DK za pospešen razvoj z 1200-voltnimi moduli tranzistorjev MOSFET iz silicijevega karbida. Ta tehnologija izkorišča prednosti, ki jih prinaša naša tehnologija 700-voltnega in 1200-voltnega silicijevega karbida (SiC) ter obsega elemente strojne in programske opreme, ki so nujni za hitro optimizacijo delovanja modulov in sistemov iz silicijevega karbida (SiC).

To novo orodje projektantom omogoča prilagajanje delovanja sistema prek nastavitev programske opreme, s pomočjo orodja za pametno konfiguriranje AgileSwitch® Intelligent Configuration Tool (ICT) in opremo Device Programmer. Spajkanje ni potrebno.

ICT omogoča konfiguriranje različnih parametrov pogona, vključno z vklopnimi/izklopnimi napetostmi vrat, ravnmi napak enosmerne povezave in temperature ter profili Augmented Switching.

Majhne spremembe v profilih Augmented Switching lahko zagotovijo precejšnje izboljšave učinkovitosti preklapljanja, prekoračitve, zvonjenja in zaščite pred kratkim stikom.

Področja uporabe

• Električna vozila
• Hibridna električna vozila
• Pametna enosmerna omrežja
• Industrija
• Polnilne postaje

Lastnosti izdelka

• Združljiv z 1200-voltnimi moduli tranzistorjev MOSFET iz silicijevega karbida
• Orodje za pametno konfiguriranje (Intelligent Configuration Tool – ICT) priloženo.

Komplet vsebuje:

• tri 1200-voltna jedra 2ASC-12A1HP,
• en 1200-voltni 62-milimetrski modulski adapter 62CA1,
• en komplet orodja device programmer ASBK-007,
• en program za ICT.