Natisni stran
SPP11N80C3.
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 11 A, 0.45 ohm, TO-220, Through Hole
Slika je zgolj simbolična. Oglejte si opis izdelka.
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaSPP11N80C3.
Številka naročila1095695
tehnični podatkovni list
Umaknjeno iz proizvodnje
INFORMACIJE O IZDELKU
ProizvajalecINFINEON
Proizvajalčeva št. delaSPP11N80C3.
Številka naročila1095695
tehnični podatkovni list
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.45ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation156W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Alternative za SPP11N80C3.
Št. najdenih izdelkov 3
Tehnični podatki
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.45ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Tehnični dokumenti (1)
Zakonodaja in okoljevarstvo
Drzava porekla
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.Drzava poreklaMalaysia
Država, v kateri je bila izvršena zadnja pomembnejša dodelava.
Tarifna številka:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Skladnost z direktivo RoHS:Da
RoHS
Skladno z direktivo RoHS glede ftalatov:Bo naknadno sporočeno
Prenesi potrdilo o skladnosti z izdelkom
Potrdilo o skladnosti izdelka
Teza (kg):.2